제품소개

고온 반응로

"반응이 어려운 물질도 고온으로 반응 가능한 고온 반응로"

Microwave
고온 반응기

Microwave 고온 반응기 특징

  • Microwave를 이용해 대상 물질을 직접 가열해, 에너지 저감 가능

  • 열전도율이 낮은 세라믹 물질도 빠르게 내부까지 가열가능

  • 대상물에 따라 100℃/min 이상의 초고속 가열이 가능

  • 기존 가열 방식 대비 공정시간을 50~90% 절감 가능하고, 열손실이 거의 없어 20~50% 에너지 절감 가능

  • 초고온이 필요할 경우, 고온에서 유전율이 높은 물질(일부 세라믹 물질)을 혼합 및 서셉터로 이용하면 2000℃ 이상도 가열 가능

  • 감압(진공), 가압, 불활성 분위기 등 다양한 공정 환경에 적용하기가 용이

  • 분말의 초고속 가열 반응 및 소결, 나노 재료 제조, 신소재 합성, 에너지 절감 정밀 열처리로, 열분해로(Pyrolysis) 등 다양한 분야에 적용가능

배터리 음극재
합성 반응로

실리콘 음극재 Microwave 연속식 합성로

  • 배터리 음극재인 흑연에 실리콘 합성을 위한 급속 합성장치

  • 순수 Microwave 에너지만을 이용해 급속으로 실리콘 합성이 가능

  • 진공 및 불활성 분위기에서 최대 온도 700℃, 승온속도 최대 100℃/min 이상으로 급속 합성가능

  • 재료장입 → 합성된 원료 배출까지 연속으로 자동화시켜 생산성 극대화

  • 연속식 배터리 음극재 합성장치

  • 배터리 음극재 합성장치

  • 합성된 음극재

Microwave
고온 열처리로

Batch TYPE 열처리로

  • Microwave를 이용해 에너지 절감형 열처리로 실현

  • Rotary kiln 형태로 분말의 배터리 원료를 균일하게 빠르게 열처리 가능

  • 최대 온도 1200℃, 승온속도 최대 80~100℃/min

  • 진공 및 불활성 분위기에서 열처리 가능

  • 배터리 원료 열처리, 팽창흑연제조, Carbon 증착 설비 등에 활용

  • Rotary type 열처리로

  • Rotary type 열처리로 발열사진

  • Ferris wheel type 열처리로

반도체 웨이퍼
열처리로

연속식 반도체 웨이퍼 열처리로

  • 연속식 반도체 웨이퍼 열처리 가능

  • Susceptor 활용 반도체 웨이퍼를 균일 가열 열처리 가능

  • 세라믹 롤러 이용 연속식 이송 열처리 설비

배치식 반도체 웨이퍼 열처리로

  • Dual 챔버 적용 배치식 열처리로

  • 하부 턴테이블 적용으로 균일 가열 실현

  • 온도제어 및 모니터링 가능

  • 연속식 웨이퍼 열처리로

  • 연속식 Microwave 열처리로

  • 배치식 열처리 설비

알루미늄
용해로

알루미늄 용해로

  • Semi 연속식 알루미늄 용해 가능

  • 초기 예열 속도가 빨라 작업대기 시간을 줄일 수 있고, 에너지 절감 가능ㅇ

  • Microwave 기술을 접목해 기존 RF방식에 비해 에너지 소모량 20% 이상 절감 가능

  • 용해로 틸팅 구조로 제작 가능하고, 간접식 가열로 용해 도가니의 손상 최소화

  • 용해로 하부 Saddle 구조로 반연속식 구현 가능

  • 폐실리콘 자원화설비

  • 예열 및 혼합설비

  • 반응설비

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